megvesz SIHB23N60E-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | D²PAK (TO-263) |
Sorozat: | - |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 158 mOhm @ 12A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 227W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 19 Weeks |
Gyártási szám: | SIHB23N60E-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 2418pF @ 100V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 95nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 600V 23A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
Leírás: | MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 23A (Tc) |
Email: | [email protected] |