TK31J60W5,S1VQ
TK31J60W5,S1VQ
Cikkszám:
TK31J60W5,S1VQ
Gyártó:
Toshiba Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14990 Pieces
Adatlap:
TK31J60W5,S1VQ.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója TK31J60W5,S1VQ, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét TK31J60W5,S1VQ e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz TK31J60W5,S1VQ BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3.7V @ 1.5mA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-3P(N)
Sorozat:DTMOSIV
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:88 mOhm @ 15.4A, 10V
Teljesítményleadás (Max):230W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-3P-3, SC-65-3
Más nevek:TK31J60W5,S1VQ(O
TK31J60W5S1VQ
Üzemi hőmérséklet:150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:16 Weeks
Gyártási szám:TK31J60W5,S1VQ
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 300V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:Super Junction
Bővített leírás:N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):600V
Leírás:MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:30.8A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások