megvesz SIHB22N60E-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SIHB22N60E-GE3
- Cikkszám:
- SIHB22N60E-GE3
- Gyártó:
- Vishay / Siliconix
- Leírás:
- MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 13065 Pieces
- Adatlap:
- SIHB22N60E-GE3.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIHB22N60E-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIHB22N60E-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | D2PAK |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 227W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Más nevek: | SIHB22N60EGE3 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 19 Weeks |
| Gyártási szám: | SIHB22N60E-GE3 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1920pF @ 100V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 86nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SIHB22N60E-GE3-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHB22N60S-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK | Vizsgálat |
|
SIHB22N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | Vizsgálat |
|
SIHB22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 20A TO263 | Vizsgálat |
|
SIHB28N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK | Vizsgálat |
|
SIHB24N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A TO263 | Vizsgálat |
|
SIHB23N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK | Vizsgálat |
|
SIHB24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK | Vizsgálat |
|
SIHB22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK | Vizsgálat |
|
SIHB24N65E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog