SI3552DV-T1-GE3
SI3552DV-T1-GE3
Cikkszám:
SI3552DV-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
17509 Pieces
Adatlap:
SI3552DV-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI3552DV-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI3552DV-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI3552DV-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA (Min)
Szállító eszközcsomag:6-TSOP
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:105 mOhm @ 2.5A, 10V
Teljesítmény - Max:1.15W
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Más nevek:SI3552DV-T1-GE3TR
SI3552DVT1GE3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:15 Weeks
Gyártási szám:SI3552DV-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:-
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:3.2nC @ 5V
FET típus:N and P-Channel
FET funkció:Logic Level Gate
Bővített leírás:Mosfet Array N and P-Channel 30V 1.15W Surface Mount 6-TSOP
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások