megvesz SI3552DV-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SI3552DV-T1-GE3
- Cikkszám:
- SI3552DV-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay / Siliconix
- Leírás:
- MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 17509 Pieces
- Adatlap:
- SI3552DV-T1-GE3.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI3552DV-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI3552DV-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA (Min) |
|---|---|
| Szállító eszközcsomag: | 6-TSOP |
| Sorozat: | TrenchFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Teljesítmény - Max: | 1.15W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Más nevek: | SI3552DV-T1-GE3TR SI3552DVT1GE3 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 15 Weeks |
| Gyártási szám: | SI3552DV-T1-GE3 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.2nC @ 5V |
| FET típus: | N and P-Channel |
| FET funkció: | Logic Level Gate |
| Bővített leírás: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 1.15W Surface Mount 6-TSOP |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Leírás: | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SI3552DV-T1-GE3-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
FDD8424H_F085A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK | Vizsgálat |
 |
DMN65D8LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 | Vizsgálat |
 |
SI3552DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP | Vizsgálat |
 |
PMGD400UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP | Vizsgálat |
 |
SIA912DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6 | Vizsgálat |
 |
AO4952 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
FDZ1323NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP | Vizsgálat |
 |
APTC60DHM24T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 | Vizsgálat |
 |
IRF5851TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP | Vizsgálat |
 |
FDPC8014AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 20A/40A | Vizsgálat |
 |
SI1563EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 | Vizsgálat |
 |
FDM2509NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP | Vizsgálat |
 |
SI7540DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog