megvesz SI3552DV-T1-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA (Min) |
---|---|
Szállító eszközcsomag: | 6-TSOP |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 2.5A, 10V |
Teljesítmény - Max: | 1.15W |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Más nevek: | SI3552DV-T1-E3TR SI3552DVT1E3 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 15 Weeks |
Gyártási szám: | SI3552DV-T1-E3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.2nC @ 5V |
FET típus: | N and P-Channel |
FET funkció: | Logic Level Gate |
Bővített leírás: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 1.15W Surface Mount 6-TSOP |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
Leírás: | MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |