SI2315BDS-T1-GE3
Cikkszám:
SI2315BDS-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12207 Pieces
Adatlap:
SI2315BDS-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI2315BDS-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI2315BDS-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI2315BDS-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:900mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:SOT-23-3 (TO-236)
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):750mW (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Más nevek:SI2315BDS-T1-GE3-ND
SI2315BDS-T1-GE3TR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:16 Weeks
Gyártási szám:SI2315BDS-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:715pF @ 6V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 12V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):12V
Leírás:MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások