SI2311DS-T1-E3
Cikkszám:
SI2311DS-T1-E3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15914 Pieces
Adatlap:
SI2311DS-T1-E3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI2311DS-T1-E3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI2311DS-T1-E3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI2311DS-T1-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:800mV @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:SOT-23-3
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:45 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):710mW (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI2311DS-T1-E3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:970pF @ 4V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 8V 3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):8V
Leírás:MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások