SI2312BDS-T1-E3
Cikkszám:
SI2312BDS-T1-E3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19254 Pieces
Adatlap:
SI2312BDS-T1-E3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI2312BDS-T1-E3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI2312BDS-T1-E3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI2312BDS-T1-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:850mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:SOT-23-3 (TO-236)
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:31 mOhm @ 5A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):750mW (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Más nevek:SI2312BDS-T1-E3TR
SI2312BDST1E3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:14 Weeks
Gyártási szám:SI2312BDS-T1-E3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:-
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 20V 3.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):1.8V, 4.5V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Leírás:MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:3.9A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások