megvesz RJM0603JSC-00#12 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
RJM0603JSC-00#12
- Cikkszám:
- RJM0603JSC-00#12
- Gyártó:
- Renesas Electronics America
- Leírás:
- MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 12972 Pieces
- Adatlap:
- RJM0603JSC-00#12.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója RJM0603JSC-00#12, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét RJM0603JSC-00#12 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Szállító eszközcsomag: | 20-HSOP |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Teljesítmény - Max: | 54W |
| Csomagolás: | Tray |
| Csomagolás / tok: | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| Üzemi hőmérséklet: | 175°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | RJM0603JSC-00#12 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 2600pF @ 10V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| FET típus: | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET funkció: | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Bővített leírás: | Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
| Leírás: | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az RJM0603JSC-00#12-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
QS6J3TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 | Vizsgálat |
 |
APTM100H80FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 | Vizsgálat |
 |
DMG1026UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 | Vizsgálat |
 |
SSM6N7002KFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A | Vizsgálat |
 |
RJM0603JSC-00#13 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | Vizsgálat |
 |
SI3948DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP | Vizsgálat |
 |
NTLGD3502NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN | Vizsgálat |
 |
SI5915BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | Vizsgálat |
|
APTM100H35FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 | Vizsgálat |
|
SI5904DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 | Vizsgálat |
 |
DMP4047SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC | Vizsgálat |
 |
IRF7910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog