megvesz NTLGD3502NT1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
NTLGD3502NT1G
- Cikkszám:
- NTLGD3502NT1G
- Leírás:
- MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 16223 Pieces
- Adatlap:
- NTLGD3502NT1G.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NTLGD3502NT1G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NTLGD3502NT1G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Szállító eszközcsomag: | 6-DFN (3x3) |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Teljesítmény - Max: | 1.74W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 6-VDFN Exposed Pad |
| Más nevek: | NTLGD3502NT1G-ND NTLGD3502NT1GOSTR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | NTLGD3502NT1G |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 480pF @ 10V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 4nC @ 4.5V |
| FET típus: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET funkció: | Logic Level Gate |
| Bővített leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.3A, 3.6A 1.74W Surface Mount 6-DFN (3x3) |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 20V |
| Leírás: | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 4.3A, 3.6A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NTLGD3502NT1G-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF7910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC | Vizsgálat |
 |
DMP4047SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC | Vizsgálat |
 |
APTM100H35FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 | Vizsgálat |
 |
SI5915BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | Vizsgálat |
 |
QS6J3TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 | Vizsgálat |
 |
NTLGD3502NT2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN | Vizsgálat |
 |
SSM6N7002KFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A | Vizsgálat |
 |
SI3948DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP | Vizsgálat |
|
APTM100H80FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 | Vizsgálat |
|
SI5904DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog