megvesz RJM0603JSC-00#13 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
RJM0603JSC-00#13
- Cikkszám:
- RJM0603JSC-00#13
- Gyártó:
- Renesas Electronics America
- Leírás:
- MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 12375 Pieces
- Adatlap:
- RJM0603JSC-00#13.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója RJM0603JSC-00#13, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét RJM0603JSC-00#13 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Szállító eszközcsomag: | 20-HSOP |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Teljesítmény - Max: | 54W |
| Csomagolás: | - |
| Csomagolás / tok: | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| Üzemi hőmérséklet: | 175°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | RJM0603JSC-00#13 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 2600pF @ 10V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| FET típus: | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET funkció: | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Bővített leírás: | Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
| Leírás: | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az RJM0603JSC-00#13-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN61D9UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A | Vizsgálat |
 |
IRF7389TR | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | Vizsgálat |
 |
DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | Vizsgálat |
 |
FDMS3660AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN | Vizsgálat |
 |
RJM0603JSC-00#12 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | Vizsgálat |
 |
APTMC120TAM12CTPAG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P | Vizsgálat |
 |
DMN3035LWN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN | Vizsgálat |
 |
SI6933DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP | Vizsgálat |
|
BSO612CVGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC | Vizsgálat |
 |
CTLDM7120-M832DS TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 20V 1A | Vizsgálat |
 |
FDC6320C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 25V SSOT6 | Vizsgálat |
 |
ZXMD63P02XTC | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP | Vizsgálat |
 |
DMN2016LHAB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers