megvesz MIO 600-65E11 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
MIO 600-65E11
- Cikkszám:
- MIO 600-65E11
- Gyártó:
- IXYS Corporation
- Leírás:
- MOD IGBT SGL SWITCH 6500V E11
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 12902 Pieces
- Adatlap:
- MIO 600-65E11.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója MIO 600-65E11, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét MIO 600-65E11 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 6500V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 4.2V @ 15V, 600A |
| Szállító eszközcsomag: | E11 |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | - |
| Csomagolás / tok: | E11 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| NTC termisztor: | No |
| Szerelési típus: | Chassis Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | MIO 600-65E11 |
| Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce: | 150nF @ 25V |
| Bemenet: | Standard |
| IGBT típus: | NPT |
| Bővített leírás: | IGBT Module NPT Single Switch 6500V 600A Chassis Mount E11 |
| Leírás: | MOD IGBT SGL SWITCH 6500V E11 |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 120mA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 600A |
| Configuration: | Single Switch |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az MIO 600-65E11-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
MIO1200-33E11 | IXYS | IGBT MODULE SGL 1200A E11 | Vizsgálat |
|
MIO1200-25E10 | IXYS | MOD IGBT SGL SWITCH 2500V E10 | Vizsgálat |
|
MIO1200-33E10 | IXYS | MOD IGBT SGL SWITCH 3300V E10 | Vizsgálat |
|
MIO1500-25E10 | IXYS | IGBT MODULE SGL 1500A E10 | Vizsgálat |
|
MIO600-65E11 | IXYS | IGBT MODULE SGL 600A E11 | Vizsgálat |
 |
IXDN55N120D1 | IXYS | IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B | Vizsgálat |
|
MIO2400-17E10 | IXYS | MOD IGBT SGL SWITCH 1700V E10 | Vizsgálat |
|
MIO1800-17E10 | IXYS | MOD IGBT SGL SWITCH 1700V E10 | Vizsgálat |
 |
VS-GB90DA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR | Vizsgálat |
 |
VS-GB100TP120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers