SQM50P03-07_GE3
Cikkszám:
SQM50P03-07_GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 30V 50A TO263
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16088 Pieces
Adatlap:
SQM50P03-07_GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SQM50P03-07_GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SQM50P03-07_GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SQM50P03-07_GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-263 (D²Pak)
Sorozat:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 30A, 10V
Teljesítményleadás (Max):150W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TA)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:18 Weeks
Gyártási szám:SQM50P03-07_GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:5380pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:155nC @ 10V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 30V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET P-CH 30V 50A TO263
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások