SPP03N60C3HKSA1
SPP03N60C3HKSA1
Cikkszám:
SPP03N60C3HKSA1
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12867 Pieces
Adatlap:
SPP03N60C3HKSA1.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SPP03N60C3HKSA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SPP03N60C3HKSA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SPP03N60C3HKSA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 135µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO220-3-1
Sorozat:CoolMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:1.4 Ohm @ 2A, 10V
Teljesítményleadás (Max):38W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-220-3
Más nevek:SP000013524
SPP03N60C3
SPP03N60C3IN
SPP03N60C3IN-ND
SPP03N60C3X
SPP03N60C3X-ND
SPP03N60C3XK
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SPP03N60C3HKSA1
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 650V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):650V
Leírás:MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:3.2A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások