megvesz SQM120N10-3M8_GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SQM120N10-3M8_GE3
- Cikkszám:
- SQM120N10-3M8_GE3
- Gyártó:
- Vishay / Siliconix
- Leírás:
- MOSFET N-CH 100V 120A TO263
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 16224 Pieces
- Adatlap:
- SQM120N10-3M8_GE3.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SQM120N10-3M8_GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SQM120N10-3M8_GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-263 (D²Pak) |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 375W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 18 Weeks |
| Gyártási szám: | SQM120N10-3M8_GE3 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 7230pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 190nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SQM120N10-3M8_GE3-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD3N30TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK | Vizsgálat |
 |
SIB408DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L | Vizsgálat |
 |
SQM120N06-3M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | Vizsgálat |
 |
NDS331N_D87Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.3A 3SSOT | Vizsgálat |
 |
IPP041N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3 | Vizsgálat |
|
SQM120P06-07L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 120A TO263 | Vizsgálat |
|
SQM120N03-1M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 120A TO-263 | Vizsgálat |
|
IPP100N04S2L03AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | Vizsgálat |
 |
AUIRFU3607 | Infineon Technologies | MOSFET N CH 75V 56A I-PAK | Vizsgálat |
|
SQM120N04-1M7_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Vizsgálat |
|
SQM120N04-1M9_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Vizsgálat |
|
SQM120P04-04L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 120A TO-263 | Vizsgálat |
|
SQM120N04-1M7L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog