megvesz SQM120N10-3M8_GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | TO-263 (D²Pak) |
Sorozat: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 375W (Tc) |
Csomagolás: | Tube |
Csomagolás / tok: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TA) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 18 Weeks |
Gyártási szám: | SQM120N10-3M8_GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 7230pF @ 25V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 190nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
Leírás: | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
Email: | [email protected] |