SQM120N04-1M9_GE3
SQM120N04-1M9_GE3
Cikkszám:
SQM120N04-1M9_GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
18090 Pieces
Adatlap:
SQM120N04-1M9_GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SQM120N04-1M9_GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SQM120N04-1M9_GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SQM120N04-1M9_GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-263 (D2Pak)
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:1.9 mOhm @ 30A, 10V
Teljesítményleadás (Max):300W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:SQM120N04-1M9-GE3
SQM120N04-1M9-GE3-ND
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:18 Weeks
Gyártási szám:SQM120N04-1M9_GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:8790pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:270nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):40V
Leírás:MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások