SPB80N06S2L-09
SPB80N06S2L-09
Cikkszám:
SPB80N06S2L-09
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólom / RoHS nem megfelelő
elérhető mennyiség:
14299 Pieces
Adatlap:
SPB80N06S2L-09.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SPB80N06S2L-09, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SPB80N06S2L-09 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SPB80N06S2L-09 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 125µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO263-3-2
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:8.5 mOhm @ 52A, 10V
Teljesítményleadás (Max):190W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:SP000013582
SPB80N06S2L09T
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SPB80N06S2L-09
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:3480pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 55V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):55V
Leírás:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások