megvesz SPB80N06S2-09 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SPB80N06S2-09
- Cikkszám:
- SPB80N06S2-09
- Leírás:
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 19766 Pieces
- Adatlap:
- SPB80N06S2-09.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SPB80N06S2-09, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SPB80N06S2-09 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 125µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO263-3-2 |
| Sorozat: | OptiMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 9.1 mOhm @ 50A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 190W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Más nevek: | SP000013581 SPB80N06S209T |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | SPB80N06S2-09 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 3140pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 55V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 55V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SPB80N06S2-09-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
SPB80N06S2-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N06S2-H5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N06S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N06S2L-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N06S2L-11 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N06S2L-H5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N06S2L-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N06S2L-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N06S2-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N06S08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N06S2-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog