megvesz SPB80N03S2L-05 G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SPB80N03S2L-05 G
- Cikkszám:
- SPB80N03S2L-05 G
- Leírás:
- MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 15062 Pieces
- Adatlap:
- SPB80N03S2L-05 G.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SPB80N03S2L-05 G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SPB80N03S2L-05 G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 110µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO263-3-2 |
| Sorozat: | OptiMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 4.9 mOhm @ 55A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 167W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Más nevek: | SP000200144 SPB80N03S2L05GXT |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | SPB80N03S2L-05 G |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 3320pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 89.7nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 30V 80A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SPB80N03S2L-05 G-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
SPB80N03S2L-06 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N03S2L-04 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N03S2L06T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N03S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N03S2L05T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N03S2L-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N03S2L-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N03S203GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N03S2L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Vizsgálat |
|
SPB80N03S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog