SPB80N03S2L-04 G
SPB80N03S2L-04 G
Cikkszám:
SPB80N03S2L-04 G
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19598 Pieces
Adatlap:
SPB80N03S2L-04 G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SPB80N03S2L-04 G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SPB80N03S2L-04 G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SPB80N03S2L-04 G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 130µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO263-3-2
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:3.9 mOhm @ 80A, 10V
Teljesítményleadás (Max):188W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:SP000200143
SPB80N03S2L04GXT
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SPB80N03S2L-04 G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:3900pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 80A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások