megvesz SIR696DP-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | PowerPAK® SO-8 |
Sorozat: | ThunderFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 11.5 mOhm @ 20A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 104W (Tc) |
Csomagolás: | Original-Reel® |
Csomagolás / tok: | PowerPAK® SO-8 |
Más nevek: | SIR696DP-T1-GE3DKR |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 19 Weeks |
Gyártási szám: | SIR696DP-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1410pF @ 75V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 125V 60A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 7.5V, 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 125V |
Leírás: | MOSFET N-CH 125V 60A SO8 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |