SIR692DP-T1-RE3
SIR692DP-T1-RE3
Cikkszám:
SIR692DP-T1-RE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 250V 24.2A SO8
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15709 Pieces
Adatlap:
SIR692DP-T1-RE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIR692DP-T1-RE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIR692DP-T1-RE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SIR692DP-T1-RE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® SO-8
Sorozat:ThunderFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:63 mOhm @ 10A, 10V
Teljesítményleadás (Max):104W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:PowerPAK® SO-8
Más nevek:SIR692DP-T1-RE3TR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:19 Weeks
Gyártási szám:SIR692DP-T1-RE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1405pF @ 125V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 7.5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 250V 24.2A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):7.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):250V
Leírás:MOSFET N-CH 250V 24.2A SO8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:24.2A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások