SIHD7N60E-GE3
SIHD7N60E-GE3
Cikkszám:
SIHD7N60E-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13063 Pieces
Adatlap:
SIHD7N60E-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIHD7N60E-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIHD7N60E-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SIHD7N60E-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:D-Pak
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:600 mOhm @ 3.5A, 10V
Teljesítményleadás (Max):78W (Tc)
Csomagolás:Bulk
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Más nevek:SIHD7N60EGE3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:19 Weeks
Gyártási szám:SIHD7N60E-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:680pF @ 100V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 600V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-Pak
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):600V
Leírás:MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások