megvesz SIHD7N60E-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | D-PAK (TO-252AA) |
Sorozat: | - |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 78W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 21 Weeks |
Gyártási szám: | SIHD7N60E-E3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 680pF @ 100V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 600V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
Leírás: | MOSFET N-CH 600V 7A TO-252 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
Email: | [email protected] |