megvesz SIB414DK-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 26 mOhm @ 7.9A, 4.5V |
Teljesítményleadás (Max): | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | PowerPAK® SC-75-6L |
Más nevek: | SIB414DK-T1-GE3TR SIB414DKT1GE3 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | SIB414DK-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 732pF @ 4V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.03nC @ 5V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 8V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 8V |
Leírás: | MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
Email: | [email protected] |