SIB412DK-T1-GE3
SIB412DK-T1-GE3
Cikkszám:
SIB412DK-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15226 Pieces
Adatlap:
SIB412DK-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIB412DK-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIB412DK-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SIB412DK-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® SC-75-6L Single
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:34 mOhm @ 6.6A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):2.4W (Ta), 13W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:PowerPAK® SC-75-6L
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SIB412DK-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:535pF @ 10V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:10.16nC @ 5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 20V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Leírás:MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások