megvesz SIA519EDJ-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SIA519EDJ-T1-GE3
- Cikkszám:
- SIA519EDJ-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay / Siliconix
- Leírás:
- MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 18449 Pieces
- Adatlap:
- SIA519EDJ-T1-GE3.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIA519EDJ-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIA519EDJ-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.4V @ 250µA |
|---|---|
| Szállító eszközcsomag: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Sorozat: | TrenchFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Teljesítmény - Max: | 7.8W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Más nevek: | SIA519EDJ-T1-GE3TR SIA519EDJT1GE3 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 24 Weeks |
| Gyártási szám: | SIA519EDJ-T1-GE3 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 10V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| FET típus: | N and P-Channel |
| FET funkció: | Logic Level Gate |
| Bővített leírás: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 20V |
| Leírás: | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 4.5A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SIA519EDJ-T1-GE3-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
NTL4502NT1 | ON Semiconductor | MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN | Vizsgálat |
 |
PMDXB600UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | Vizsgálat |
 |
SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Vizsgálat |
 |
ZXMD65P02N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC | Vizsgálat |
 |
SI4539ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC | Vizsgálat |
 |
VEC2415-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8 | Vizsgálat |
|
SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 | Vizsgálat |
 |
IRF7901D1TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC | Vizsgálat |
 |
NTJD2152PT4G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 | Vizsgálat |
|
SIA511DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 | Vizsgálat |
 |
FDZ2553NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA | Vizsgálat |
 |
SI7218DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers