megvesz SIA517DJ-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SIA517DJ-T1-GE3
- Cikkszám:
- SIA517DJ-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay / Siliconix
- Leírás:
- MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 15299 Pieces
- Adatlap:
- SIA517DJ-T1-GE3.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SIA517DJ-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SIA517DJ-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Szállító eszközcsomag: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Sorozat: | TrenchFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 29 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Teljesítmény - Max: | 6.5W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Más nevek: | SIA517DJ-T1-GE3TR SIA517DJT1GE3 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 24 Weeks |
| Gyártási szám: | SIA517DJ-T1-GE3 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 500pF @ 6V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 8V |
| FET típus: | N and P-Channel |
| FET funkció: | Logic Level Gate |
| Bővített leírás: | Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 12V |
| Leírás: | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 4.5A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SIA517DJ-T1-GE3-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Vizsgálat |
 |
APTMC60TLM55CT3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F | Vizsgálat |
 |
FDG6320C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 | Vizsgálat |
 |
SI7942DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8 | Vizsgálat |
|
SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Vizsgálat |
|
SIA511DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 | Vizsgálat |
 |
PMDPB42UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 | Vizsgálat |
 |
SQJB80EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 80V SO8 | Vizsgálat |
 |
SP8J2TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC | Vizsgálat |
 |
SI1029X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 | Vizsgálat |
|
SI6993DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP | Vizsgálat |
 |
AO4832 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog