SI7884BDP-T1-E3
SI7884BDP-T1-E3
Cikkszám:
SI7884BDP-T1-E3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19724 Pieces
Adatlap:
SI7884BDP-T1-E3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI7884BDP-T1-E3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI7884BDP-T1-E3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI7884BDP-T1-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® SO-8
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:7.5 mOhm @ 16A, 10V
Teljesítményleadás (Max):4.6W (Ta), 46W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:PowerPAK® SO-8
Más nevek:SI7884BDP-T1-E3-ND
SI7884BDP-T1-E3TR
SI7884BDPT1E3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:SI7884BDP-T1-E3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:3540pF @ 20V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:77nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 40V 58A (Tc) 4.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):40V
Leírás:MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások