megvesz SI7882DP-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.4V @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | PowerPAK® SO-8 |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V |
Teljesítményleadás (Max): | 1.9W (Ta) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | PowerPAK® SO-8 |
Más nevek: | SI7882DP-T1-GE3TR SI7882DPT1GE3 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | SI7882DP-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 4.5V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 12V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 12V |
Leírás: | MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 13A (Ta) |
Email: | [email protected] |