megvesz SI7119DN-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | PowerPAK® 1212-8 |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 1.05 Ohm @ 1A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | PowerPAK® 1212-8 |
Más nevek: | SI7119DN-T1-GE3TR SI7119DNT1GE3 |
Üzemi hőmérséklet: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 15 Weeks |
Gyártási szám: | SI7119DN-T1-GE3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 666pF @ 50V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
FET típus: | P-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | P-Channel 200V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 6V, 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 200V |
Leírás: | MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 3.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |