SI7111EDN-T1-GE3
SI7111EDN-T1-GE3
Cikkszám:
SI7111EDN-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET P-CH 30V 60A 1212-8
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19732 Pieces
Adatlap:
SI7111EDN-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI7111EDN-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI7111EDN-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI7111EDN-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1.6V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PowerPAK® 1212-8
Sorozat:TrenchFET® Gen III
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:8.55 mOhm @ 15A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):52W (Tc)
Csomagolás:Original-Reel®
Csomagolás / tok:PowerPAK® 1212-8
Más nevek:SI7111EDN-T1-GE3DKR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:19 Weeks
Gyártási szám:SI7111EDN-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:5860pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 2.5V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 30V 60A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):2.5V, 4.5V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET P-CH 30V 60A 1212-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások