SI5509DC-T1-GE3
SI5509DC-T1-GE3
Cikkszám:
SI5509DC-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14564 Pieces
Adatlap:
SI5509DC-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI5509DC-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI5509DC-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI5509DC-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Szállító eszközcsomag:1206-8 ChipFET™
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:52 mOhm @ 5A, 4.5V
Teljesítmény - Max:4.5W
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SMD, Flat Lead
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI5509DC-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:455pF @ 10V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:6.6nC @ 5V
FET típus:N and P-Channel
FET funkció:Logic Level Gate
Bővített leírás:Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Leírás:MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:6.1A, 4.8A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások