megvesz SI4953ADY-T1-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA (Min) |
---|---|
Szállító eszközcsomag: | 8-SO |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 53 mOhm @ 4.9A, 10V |
Teljesítmény - Max: | 1.1W |
Csomagolás: | Original-Reel® |
Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Más nevek: | SI4953ADY-T1-E3DKR |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | SI4953ADY-T1-E3 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
FET típus: | 2 P-Channel (Dual) |
FET funkció: | Logic Level Gate |
Bővített leírás: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.7A 1.1W Surface Mount 8-SO |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
Leírás: | MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 3.7A |
Email: | [email protected] |