SI4276DY-T1-GE3
Cikkszám:
SI4276DY-T1-GE3
Gyártó:
Vishay / Siliconix
Leírás:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15865 Pieces
Adatlap:
SI4276DY-T1-GE3.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI4276DY-T1-GE3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI4276DY-T1-GE3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz SI4276DY-T1-GE3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Szállító eszközcsomag:8-SO
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:15.3 mOhm @ 9.5A, 10V
Teljesítmény - Max:3.6W, 2.8W
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Más nevek:SI4276DY-T1-GE3TR
SI4276DYT1GE3
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:SI4276DY-T1-GE3
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
FET típus:2 N-Channel (Dual)
FET funkció:Logic Level Gate
Bővített leírás:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SO
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások