megvesz SI4276DY-T1-E3 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
SI4276DY-T1-E3
- Cikkszám:
- SI4276DY-T1-E3
- Gyártó:
- Vishay / Siliconix
- Leírás:
- MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 13449 Pieces
- Adatlap:
- SI4276DY-T1-E3.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója SI4276DY-T1-E3, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét SI4276DY-T1-E3 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Szállító eszközcsomag: | 8-SO |
| Sorozat: | TrenchFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Teljesítmény - Max: | 3.6W, 2.8W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | SI4276DY-T1-E3 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1000pF @ 15V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
| FET típus: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET funkció: | Logic Level Gate |
| Bővített leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SO |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Leírás: | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 8A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az SI4276DY-T1-E3-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
NTLJD4150PTBG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN | Vizsgálat |
 |
SI4276DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | Vizsgálat |
 |
APTM120VDA57T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 | Vizsgálat |
 |
SSM6N15AFE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 | Vizsgálat |
|
APTC60TAM21SCTPAG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P | Vizsgálat |
 |
DMN3018SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO | Vizsgálat |
 |
MCH6662-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6 | Vizsgálat |
|
SI6969DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP | Vizsgálat |
 |
NTHD4102PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET | Vizsgálat |
 |
QJD1210SB1 | Powerex Inc. | MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC | Vizsgálat |
 |
UM6K33NTN | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog