RN1905FE,LF(CB
RN1905FE,LF(CB
Cikkszám:
RN1905FE,LF(CB
Gyártó:
Toshiba Semiconductor
Leírás:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
18788 Pieces
Adatlap:
RN1905FE,LF(CB.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója RN1905FE,LF(CB, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét RN1905FE,LF(CB e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz RN1905FE,LF(CB BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tranzisztor típusú:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Szállító eszközcsomag:ES6
Sorozat:-
Ellenállás - Emitter alap (R2) (Ohm):47k
Ellenállás - alap (R1) (Ohm):2.2k
Teljesítmény - Max:100mW
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:SOT-563, SOT-666
Más nevek:RN1905FE(TE85L,F)
RN1905FE(TE85LF)TR
RN1905FE(TE85LF)TR-ND
RN1905FE,LF(CT
RN1905FELF(CBTR
RN1905FELF(CTTR
RN1905FELF(CTTR-ND
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:16 Weeks
Gyártási szám:RN1905FE,LF(CB
Frekvencia - Átmenet:250MHz
Bővített leírás:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Leírás:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Aktuális - Collector Cutoff (Max):500nA
Áram - kollektor (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások