RN1902T5LFT
RN1902T5LFT
Cikkszám:
RN1902T5LFT
Gyártó:
Toshiba Semiconductor
Leírás:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12993 Pieces
Adatlap:
RN1902T5LFT.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója RN1902T5LFT, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét RN1902T5LFT e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz RN1902T5LFT BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tranzisztor típusú:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Szállító eszközcsomag:US6
Sorozat:-
Ellenállás - Emitter alap (R2) (Ohm):10k
Ellenállás - alap (R1) (Ohm):10k
Teljesítmény - Max:200mW
Csomagolás:Cut Tape (CT)
Csomagolás / tok:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Más nevek:RN1902T5LFTCT
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:RN1902T5LFT
Frekvencia - Átmenet:250MHz
Bővített leírás:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Leírás:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 10mA, 5V
Aktuális - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Áram - kollektor (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások