megvesz NTMSD3P102R2 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
NTMSD3P102R2
- Cikkszám:
- NTMSD3P102R2
- Leírás:
- MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólom / RoHS nem megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 19230 Pieces
- Adatlap:
- NTMSD3P102R2.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NTMSD3P102R2, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NTMSD3P102R2 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | 8-SOIC |
| Sorozat: | FETKY™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 730mW (Ta) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Más nevek: | NTMSD3P102R2OS |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | NTMSD3P102R2 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 750pF @ 16V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| FET típus: | P-Channel |
| FET funkció: | Schottky Diode (Isolated) |
| Bővített leírás: | P-Channel 20V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 20V |
| Leírás: | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 2.34A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NTMSD3P102R2-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
NTMSD3P102R2SG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
NTMSD3P102R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
NTMSD2P102LR2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
NTMSD2P102R2SG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | Vizsgálat |
 |
BUK956R1-100E,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | Vizsgálat |
|
NTMSD6N303R2SG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
NTMSD6N303R2 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
NTMSD3P303R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
NTMSD2P102LR2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
NTMSD2P102R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
NTMSD6N303R2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog