megvesz NTMSD2P102LR2 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | 8-SOIC |
Sorozat: | FETKY™ |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Teljesítményleadás (Max): | 710mW (Ta) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Más nevek: | NTMSD2P102LR2OS |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | NTMSD2P102LR2 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 750pF @ 16V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
FET típus: | P-Channel |
FET funkció: | Schottky Diode (Isolated) |
Bővített leírás: | P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 20V |
Leírás: | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 2.3A (Ta) |
Email: | [email protected] |