NTMFD4C86NT3G
NTMFD4C86NT3G
Cikkszám:
NTMFD4C86NT3G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15438 Pieces
Adatlap:
NTMFD4C86NT3G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NTMFD4C86NT3G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NTMFD4C86NT3G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NTMFD4C86NT3G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Szállító eszközcsomag:8-DFN (5x6)
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:5.4 mOhm @ 30A, 10V
Teljesítmény - Max:1.1W
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-PowerTDFN
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:NTMFD4C86NT3G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1153pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:22.2nC @ 10V
FET típus:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET funkció:Standard
Bővített leírás:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:11.3A, 18.1A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások