NTMFD4C85NT1G
NTMFD4C85NT1G
Cikkszám:
NTMFD4C85NT1G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15055 Pieces
Adatlap:
NTMFD4C85NT1G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NTMFD4C85NT1G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NTMFD4C85NT1G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NTMFD4C85NT1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.1V @ 250µA
Szállító eszközcsomag:8-DFN (5x6)
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:3 mOhm @ 20A, 10V
Teljesítmény - Max:1.13W
Csomagolás:Original-Reel®
Csomagolás / tok:8-PowerTDFN
Más nevek:NTMFD4C85NT1GOSDKR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:24 Weeks
Gyártási szám:NTMFD4C85NT1G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1960pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
FET típus:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET funkció:Standard
Bővített leírás:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15.4A, 29.7A 1.13W Surface Mount 8-DFN (5x6)
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:15.4A, 29.7A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások