NTLJS4114NT1G
NTLJS4114NT1G
Cikkszám:
NTLJS4114NT1G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14714 Pieces
Adatlap:
NTLJS4114NT1G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NTLJS4114NT1G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NTLJS4114NT1G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NTLJS4114NT1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:6-WDFN (2x2)
Sorozat:µCool™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 2A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):700mW (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:6-WDFN Exposed Pad
Más nevek:NTLJS4114NT1G-ND
NTLJS4114NT1GOSTR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:33 Weeks
Gyártási szám:NTLJS4114NT1G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 4.5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 3.6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):1.8V, 4.5V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:3.6A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások