NTLJS1102PTBG
NTLJS1102PTBG
Cikkszám:
NTLJS1102PTBG
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
17828 Pieces
Adatlap:
NTLJS1102PTBG.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NTLJS1102PTBG, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NTLJS1102PTBG e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NTLJS1102PTBG BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:720mV @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:6-WDFN (2x2)
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Teljesítményleadás (Max):700mW (Ta)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:6-WDFN Exposed Pad
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:NTLJS1102PTBG
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1585pF @ 4V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 4.5V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 8V 3.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):8V
Leírás:MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:3.7A (Ta)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások