NTD4806NA-1G
NTD4806NA-1G
Cikkszám:
NTD4806NA-1G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13681 Pieces
Adatlap:
NTD4806NA-1G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NTD4806NA-1G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NTD4806NA-1G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz NTD4806NA-1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:I-Pak
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 30A, 10V
Teljesítményleadás (Max):-
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Üzemi hőmérséklet:-
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:NTD4806NA-1G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:2142pF @ 12V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 4.5V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 11.3A (Ta), 79A (Tc) Through Hole I-Pak
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:11.3A (Ta), 79A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások