megvesz NTD4806N-1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
NTD4806N-1G
- Cikkszám:
- NTD4806N-1G
- Leírás:
- MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 16655 Pieces
- Adatlap:
- NTD4806N-1G.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NTD4806N-1G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NTD4806N-1G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | I-Pak |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 6 mOhm @ 30A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.4W (Ta), 68W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | NTD4806N-1G |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 2142pF @ 12V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 4.5V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 30V 11.3A (Ta), 79A (Tc) 1.4W (Ta), 68W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 30V 11A IPAK |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 11.3A (Ta), 79A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NTD4806N-1G-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
NTD4809NH-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A IPAK | Vizsgálat |
 |
NTD4809NHT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A DPAK | Vizsgálat |
|
NTD4806N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11A IPAK | Vizsgálat |
 |
NTD4804NA-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK | Vizsgálat |
|
NTD4806NA-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11A IPAK | Vizsgálat |
|
NTD4806NAT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11A DPAK | Vizsgálat |
|
NTD4806NA-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11A IPAK | Vizsgálat |
|
NTD4808NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9.8A DPAK | Vizsgálat |
|
NTD4809NA-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A IPAK | Vizsgálat |
|
NTD4809NAT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A DPAK | Vizsgálat |
|
NTD4806NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK | Vizsgálat |
 |
NTD4808N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog