megvesz NE4210S01-T1B BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
NE4210S01-T1B
- Cikkszám:
- NE4210S01-T1B
- Leírás:
- HJ-FET 13DB S01
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 12993 Pieces
- Adatlap:
- NE4210S01-T1B.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója NE4210S01-T1B, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét NE4210S01-T1B e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - teszt: | 2V |
|---|---|
| Feszültség - névleges: | 4V |
| Tranzisztor típusú: | HFET |
| Szállító eszközcsomag: | SMD |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény: | - |
| Csomagolás: | Tape & Box (TB) |
| Csomagolás / tok: | 4-SMD |
| Zaj kép: | 0.5dB |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | NE4210S01-T1B |
| Nyereség: | 13dB |
| Frekvencia: | 12GHz |
| Bővített leírás: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13dB SMD |
| Leírás: | HJ-FET 13DB S01 |
| Jelenlegi értékelés: | 15mA |
| Jelenlegi - teszt: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az NE4210S01-T1B-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
PD57018TR-E | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWERSO-10 | Vizsgálat |
 |
PTFA181001GL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 | Vizsgálat |
 |
MAGX-0110087 | M/A-Com Technology Solutions | HEMT N-CH 600W 1030-1090MHZ | Vizsgálat |
 |
MRF9080LR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 960MHZ NI-780 | Vizsgálat |
 |
NE4210S01 | CEL | HJ-FET 13DB S01 | Vizsgálat |
 |
BLA8G1011L-300GU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A | Vizsgálat |
 |
BLM7G1822S-20PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121 | Vizsgálat |
 |
BLF7G10LS-250,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B | Vizsgálat |
 |
MRF5S4125NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 465MHZ TO-270-4 | Vizsgálat |
|
BLF6G20LS-180RN:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B | Vizsgálat |
 |
BLF642,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C | Vizsgálat |
 |
BF256A | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 7MA TO92 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog