megvesz IXTY08N100P BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IXTY08N100P
- Cikkszám:
- IXTY08N100P
- Gyártó:
- IXYS Corporation
- Leírás:
- MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 18662 Pieces
- Adatlap:
- IXTY08N100P.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXTY08N100P, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXTY08N100P e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 50µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-252, (D-Pak) |
| Sorozat: | Polar™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 20 Ohm @ 500mA, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 42W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | IXTY08N100P |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 240pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 11.3nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 1000V (1kV) 800mA (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Leírás: | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 800mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IXTY08N100P-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTY01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK | Vizsgálat |
|
IXTY08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK | Vizsgálat |
 |
DMN1019USN-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | Vizsgálat |
|
IXTY08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | Vizsgálat |
 |
IXTY08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | Vizsgálat |
|
IXTY01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA | Vizsgálat |
|
IXTY02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK | Vizsgálat |
|
IXTY01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | Vizsgálat |
|
IXTY02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK | Vizsgálat |
 |
RJK0629DPE-00#J3 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK | Vizsgálat |
 |
VP0808L-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3 | Vizsgálat |
 |
RQ7E110AJTCR | Rohm Semiconductor | NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET | Vizsgálat |
|
IXTY06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers