megvesz IXTY01N100 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IXTY01N100
- Cikkszám:
- IXTY01N100
- Gyártó:
- IXYS Corporation
- Leírás:
- MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 19829 Pieces
- Adatlap:
- IXTY01N100.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IXTY01N100, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IXTY01N100 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 25µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-252AA |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 80 Ohm @ 100mA, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 25W (Tc) |
| Csomagolás: | Cut Tape (CT) |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Más nevek: | 490458 IXTY01N100CT IXTY01N100CT-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | IXTY01N100 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 54pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.9nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Leírás: | MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IXTY01N100-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTY06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | Vizsgálat |
|
IXTY01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA | Vizsgálat |
 |
PSMN005-30K,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 20A SOT96-1 | Vizsgálat |
|
IXTY08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | Vizsgálat |
|
IXTY01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | Vizsgálat |
 |
STD95NH02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | Vizsgálat |
|
IXTY02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK | Vizsgálat |
 |
SCT2080KEC | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247 | Vizsgálat |
 |
IPD80N04S306BATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | Vizsgálat |
|
IXTY08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 | Vizsgálat |
 |
TJ15S06M3L(T6L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 60V 15A DPAK-3 | Vizsgálat |
|
IXTY02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK | Vizsgálat |
 |
AUIRFS8405TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | Vizsgálat |
 |
FDMS7694 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V POWER56 | Vizsgálat |
|
IXTY08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK | Vizsgálat |
 |
IXTY08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers