megvesz DMN3008SFGQ-7 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
DMN3008SFGQ-7
- Cikkszám:
- DMN3008SFGQ-7
- Gyártó:
- Diodes Incorporated
- Leírás:
- MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 16490 Pieces
- Adatlap:
- DMN3008SFGQ-7.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója DMN3008SFGQ-7, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét DMN3008SFGQ-7 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 250µA |
|---|---|
| Szállító eszközcsomag: | PowerDI3333-8 |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 4.4 mOhm @ 13.5A, 10V |
| Teljesítmény - Max: | 900mW |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-PowerVDFN |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
| Gyártási szám: | DMN3008SFGQ-7 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 3690pF @ 10V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 86nC @ 10V |
| FET típus: | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET funkció: | Standard |
| Bővített leírás: | Mosfet Array MOSFET N-Channel, Metal Oxide 30V 17.6A (Ta), 62A (Tc) 900mW Surface Mount PowerDI3333-8 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Leírás: | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 17.6A (Ta), 62A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DMN3008SFGQ-7-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN3052LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC | Vizsgálat |
 |
DMN3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | Vizsgálat |
 |
DMN3005LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L | Vizsgálat |
 |
DMN3024SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 | Vizsgálat |
|
DMN3007LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | Vizsgálat |
 |
DMN3016LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8 | Vizsgálat |
 |
DMN3016LDN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN | Vizsgálat |
 |
DMN3042L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 | Vizsgálat |
|
DMN3008SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI | Vizsgálat |
|
DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI | Vizsgálat |
|
DMN3009SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 | Vizsgálat |
|
DMN3009SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 | Vizsgálat |
 |
DMN3016LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog